MT41K256M16HA-125:E vs H5AN8G6NCJR-XXC Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16HA-125:E por Micron Technology y H5AN8G6NCJR-xxC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16HA-125:E | H5AN8G6NCJR-xxC |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $3,10 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 8 Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Latencia CAS | 13.75 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L) | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Número de pines | 96 | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Rango de temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Ancho del bus de datos | 16 bits | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Velocidad de datos | — | 2666 Mbps (VKC speed grade) |
| VPP Supply | — | 2.5 V |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to 95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported |
| Self-Refresh | — | Temperature-compensated (TCSR) |
| RoHS | — | Compliant |