MT41K256M16HA-125:E vs H5AN8G6NCJR-XXC 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT41K256M16HA-125:E 제조: Micron Technology 및 H5AN8G6NCJR-xxC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT41K256M16HA-125:E | H5AN8G6NCJR-xxC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.10 | $6.50 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 8 Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| CAS 레이턴시 | 13.75 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L) | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| 패키지 | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| 핀 수 | 96 | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | 0°C to +95°C (TC) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 데이터 버스 폭 | 16 bits | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| 데이터 속도 | — | 2666 Mbps (VKC speed grade) |
| VPP Supply | — | 2.5 V |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to 95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported |
| Self-Refresh | — | Temperature-compensated (TCSR) |
| RoHS | — | Compliant |