NT5AD512M16A4-GZ vs H5AN8G6NDJR 比較
詳細な並列比較: NT5AD512M16A4-GZ メーカー: Nanya Technology および H5AN8G6NDJR メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | NT5AD512M16A4-GZ | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| ブランド | Nanya Technology | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $8.50 | $35.00 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| 電源電圧 | 1.2V | 1.2 V |
| 最大クロック周波数 | 1200 MHz | — |
| データバス幅 | 16 bits | — |
| パッケージ | TFBGA-96 | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Interleaved Burst Length | 4, 8 | — |
| Access Mode | Four Bank Page Burst | Multi Bank Page Burst |
| 動作温度範囲 | Commercial and Industrial | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling Function | Yes | — |
| ZQ Calibration Function | Yes | — |
| データレート | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CASレイテンシ | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| 特長 | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |