NT5AD512M16A4-GZ vs H5AN8G6NDJR Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5AD512M16A4-GZ von Nanya Technology und H5AN8G6NDJR von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | NT5AD512M16A4-GZ | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,50 | $35,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| Versorgungsspannung | 1.2V | 1.2 V |
| Maximale Taktfrequenz | 1200 MHz | — |
| Datenbusbreite | 16 bits | — |
| Gehäuse | TFBGA-96 | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Interleaved Burst Length | 4, 8 | — |
| Access Mode | Four Bank Page Burst | Multi Bank Page Burst |
| Betriebstemperaturbereich | Commercial and Industrial | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling Function | Yes | — |
| ZQ Calibration Function | Yes | — |
| Datenrate | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS-Latenz | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Eigenschaften | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |