NT5AD512M16A4-HR vs H5AN8G6NCJR-VKC 比較
詳細な並列比較: NT5AD512M16A4-HR メーカー: Nanya Technology および H5AN8G6NCJR-VKC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | NT5AD512M16A4-HR | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| ブランド | Nanya Technology | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $8.10 | $60.00 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| データレート | 3200 Mbps (PC4-25600) | 2666 Mbps |
| 動作温度 | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| パッケージ | TFBGA-96 | FBGA-96 |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Operating Current (IDD2N) | — | 28 mA |
| Operating Current (IDD4R) | — | 45 mA |
| Burst Length | — | 8 (BC4) |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Row Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] |
| Column Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |