NT5AD512M16A4-HR vs H5AN8G6NCJR-VKC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5AD512M16A4-HR par Nanya Technology et H5AN8G6NCJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5AD512M16A4-HR | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,10 | $60,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Débit de données | 3200 Mbps (PC4-25600) | 2666 Mbps |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Boîtier | TFBGA-96 | FBGA-96 |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Operating Current (IDD2N) | — | 28 mA |
| Operating Current (IDD4R) | — | 45 mA |
| Burst Length | — | 8 (BC4) |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Row Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] |
| Column Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |