NT5AD512M16A4-HR vs H5AN8G6NCJR-VKC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок NT5AD512M16A4-HR от Nanya Technology и H5AN8G6NCJR-VKC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | NT5AD512M16A4-HR | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| Бренд | Nanya Technology | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $8,10 | $60,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Напряжение питания | 1.2 V | — |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps (PC4-25600) | 2666 Mbps |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Корпус | TFBGA-96 | FBGA-96 |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Operating Current (IDD2N) | — | 28 mA |
| Operating Current (IDD4R) | — | 45 mA |
| Burst Length | — | 8 (BC4) |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Row Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] |
| Column Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Без галогенов | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |