NT5AD512M16B4-HR vs K4A8G165WB-BCWE 比較
詳細な並列比較: NT5AD512M16B4-HR メーカー: Nanya Technology および K4A8G165WB-BCWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | NT5AD512M16B4-HR | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| ブランド | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $43.10 | $6.55 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 電源電圧 | 1.2V | 1.2 V |
| パッケージ | 96-ball TFBGA | 96FBGA |
| Temperature Range | 0°C to +95°C | — |
| データレート | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| インターフェース | — | Parallel |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| 動作温度 | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |