NT5AD512M16B4-HR vs K4A8G165WB-BCWE Comparação
Comparação detalhada lado a lado de NT5AD512M16B4-HR por Nanya Technology e K4A8G165WB-BCWE por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | NT5AD512M16B4-HR | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $43,10 | $6,55 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| Organização da memória | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Tensão de alimentação | 1.2V | 1.2 V |
| Encapsulamento | 96-ball TFBGA | 96FBGA |
| Temperature Range | 0°C to +95°C | — |
| Taxa de dados | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| Interface | — | Parallel |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Temperatura de operação | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |