NT5AD512M16B4-HR vs K4A8G165WB-BCWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: NT5AD512M16B4-HR 제조: Nanya Technology 및 K4A8G165WB-BCWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | NT5AD512M16B4-HR | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $43.10 | $6.55 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 공급 전압 | 1.2V | 1.2 V |
| 패키지 | 96-ball TFBGA | 96FBGA |
| Temperature Range | 0°C to +95°C | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| 동작 온도 | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |