RMLV0816BGSD-4S2 vs RMLV0816BGSD-4S2#AC0 比較
詳細な並列比較: RMLV0816BGSD-4S2 メーカー: Renesas Electronics および RMLV0816BGSD-4S2#AC0 メーカー: Renesas Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Renesas Electronics
RMLV0816BGSD-4S2 - 8Mb Low-Power SRAM 512Kx16 45ns TSOP | Renesas
RMLV0816BGSD-4S2 ✓ 生産中Renesas Electronics
RMLV0816BGSD-4S2#AC0 - 8Mb Advanced LPSRAM | Renesas | TSOP-II 52
RMLV0816BGSD-4S2#AC0 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | RMLV0816BGSD-4S2 | RMLV0816BGSD-4S2#AC0 |
|---|---|---|
| ブランド | Renesas Electronics | Renesas Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.50 | $3.78 |
| メモリタイプ | Static RAM (SRAM), Asynchronous | Volatile SRAM (LPSRAM) |
| Memory Subcategory | Low-Power SRAM (LPSRAM) | — |
| Memory Density | 8 Mbit | — |
| メモリ構成 | 524,288-word x 16-bit (512K x 16) | 524,288-word × 16-bit (configurable to 1M × 8) |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.4 V to 3.6 V |
| Access Time | 45 ns | 45 ns |
| インターフェース | Parallel (asynchronous) | — |
| 動作温度範囲 | -40 C to +85 C (industrial) | -40 °C to +85 °C |
| パッケージ | 52-pin TSOP-II | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Output Enable (/OE) | Yes | — |
| Write Enable (/WE) | Yes | — |
| Chip Select (/CS) | Yes | — |
| Byte Control | /LB and /UB (lower/upper byte enable) | UB# (upper byte), LB# (lower byte) |
| I/O Compatibility | TTL-compatible | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Active Current | [DATA_NEEDED: operating current] | — |
| Process Technology | Renesas Advanced LPSRAM CMOS | Renesas Advanced LPSRAM CMOS |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| MSLレベル | 3 (per JEDEC J-STD-020, typical for TSOP-II) | MSL3 (per JEDEC J-STD-020, where stated in the datasheet) |
| メモリサイズ | — | 8 Mbit |
| Bus Width | — | Parallel, 8-bit or 16-bit |
| インターフェースタイプ | — | Parallel (asynchronous) |
| Package Type | — | 52-TSOP II |
| 出力構成 | — | Three-state (with OE# control) |
| Write Control | — | WE# (active-low) |
| Chip Enable | — | CE# (active-low) |
| Data Retention Voltage (typical) | — | 2.0 V [DATA_NEEDED: confirm from datasheet retention section] |