SI1553DL-T1-GE3 vs BSD235CH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: SI1553DL-T1-GE3 メーカー: Vishay Intertechnology および BSD235CH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Vishay Intertechnology
SI1553DL-T1-GE3 SI1553DL-T1-GE3 - Complementary 20V MOSFET Array | Vishay

SI1553DL-T1-GE3 - Complementary 20V MOSFET Array | Vishay

SI1553DL-T1-GE3 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ SI1553DL-T1-GE3 BSD235CH6327XTSA1
ブランド Vishay Intertechnology Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.14 $0.12
Manufacturer Vishay Siliconix Infineon Technologies
Part Number SI1553DL-T1-GE3 —
Transistor Polarity Complementary N and P Channel —
Number of Channels 2 (1 N-channel + 1 P-channel) —
Drain-Source Voltage VDS (max) 20 V —
Continuous Drain Current ID - N-Channel 700 mA —
Continuous Drain Current ID - P-Channel 500 mA —
On-Resistance RDS(on) - N-Channel 0.32 ohm (typ at VGS = 4.5 V) —
On-Resistance RDS(on) - P-Channel [DATA_NEEDED: P-channel RDS(on) value] —
Gate-Source Threshold VGS(th) 2.5 V (max) —
Gate-Source Voltage VGS (max) [DATA_NEEDED: +/- VGS absolute maximum] —
Power Dissipation PD 340 mW —
動作温度範囲 -55C to +150C (TJ) -55 °C to +150 °C (junction)
パッケージ SC-70-6 / SOT-363-6 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Process Technology TrenchFET —
Termination Finish Lead-free (Pb-free), Halogen-free —
RoHS Compliance Compliant per Directive 2002/95/EC —
ハロゲンフリー Yes (per IEC 61249-2-21) —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Part Family — OptiMOS™
Configuration — N+P complementary dual MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 530 mA (negative polarity)
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
Technology — OptiMOS™ low-voltage
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement
RoHS ステータス — Compliant (lead-free)
ピン数 — 6

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼