TLP183GB(GB-TPL.E vs TLP183(GB-TPL 比較

詳細な並列比較: TLP183GB(GB-TPL.E メーカー: Toshiba および TLP183(GB-TPL メーカー: Toshiba。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Toshiba
TLP183GB(GB-TPL.E TLP183(GB-TPL,E - 3750Vrms Phototransistor Optocoupler SO6

TLP183(GB-TPL,E - 3750Vrms Phototransistor Optocoupler SO6

TLP183GB(GB-TPL.E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ TLP183GB(GB-TPL.E TLP183(GB-TPL
ブランド Toshiba Toshiba
カテゴリ Surge Protectors Optocouplers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.13 $0.12
Product Type Phototransistor Optocoupler (Optoisolator) Phototransistor Output Optocoupler
出力タイプ DC, Phototransistor (single channel) Phototransistor (BJT)
Number of Channels 1 1
Input Type DC DC (InGaAs Infrared LED)
Maximum Forward Current (IF) 50 mA —
Maximum Forward Voltage (VF) 1.4 V —
コレクタ-エミッタ間電圧(Vceo) 80 V 80 V max
Maximum Collector Current 50 mA —
Isolation Voltage 3750 Vrms 3750 Vrms
CTR Rank GB (100% to 300% at IF=5 mA, VCE=5 V) GB (50-600% range)
動作温度範囲 -55C to +110C —
パッケージ 4-pin SO6 (6-SOP surface mount) 6-SO (SO6, 4-pin functional)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Safety Standards UL, cUL, VDE, CQC certified (per Toshiba datasheet) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Toshiba Semiconductor and Storage
Forward Current (IF) — 50 mA max
Reverse Voltage (VR) — 6 V max
Forward Voltage (VF) — 1.25 V typ at IF=10 mA
Emitter-Collector Voltage (VECO) — 7 V max
コレクタ電流(Ic) — 50 mA max
CTR (Current Transfer Ratio) — 50% min (IF=5 mA, VCE=5 V) - GB rank
動作温度 — -55 C to +125 C
Storage Temperature — -55 C to +150 C
Rise Time (tr) — 5 us typ
Fall Time (tf) — 5 us typ
Tape and Reel Packaging — TPL (L direction, 3000 pcs/reel)
Packing Option Code — E (RoHS)

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