TLP183GB(GB-TPL.E vs TLP183(GB-TPL Comparação

Comparação detalhada lado a lado de TLP183GB(GB-TPL.E por Toshiba e TLP183(GB-TPL por Toshiba. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro TLP183GB(GB-TPL.E TLP183(GB-TPL
Marca Toshiba Toshiba
Categoria Surge Protectors Optocouplers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,13 $0,12
Product Type Phototransistor Optocoupler (Optoisolator) Phototransistor Output Optocoupler
Tipo de saída DC, Phototransistor (single channel) Phototransistor (BJT)
Number of Channels 1 1
Input Type DC DC (InGaAs Infrared LED)
Maximum Forward Current (IF) 50 mA —
Maximum Forward Voltage (VF) 1.4 V —
Tensão coletor-emissor (Vceo) 80 V 80 V max
Maximum Collector Current 50 mA —
Isolation Voltage 3750 Vrms 3750 Vrms
CTR Rank GB (100% to 300% at IF=5 mA, VCE=5 V) GB (50-600% range)
Faixa de temperatura de operação -55C to +110C —
Encapsulamento 4-pin SO6 (6-SOP surface mount) 6-SO (SO6, 4-pin functional)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Safety Standards UL, cUL, VDE, CQC certified (per Toshiba datasheet) —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Toshiba Semiconductor and Storage
Forward Current (IF) — 50 mA max
Reverse Voltage (VR) — 6 V max
Forward Voltage (VF) — 1.25 V typ at IF=10 mA
Emitter-Collector Voltage (VECO) — 7 V max
Corrente de coletor (Ic) — 50 mA max
CTR (Current Transfer Ratio) — 50% min (IF=5 mA, VCE=5 V) - GB rank
Temperatura de operação — -55 C to +125 C
Storage Temperature — -55 C to +150 C
Rise Time (tr) — 5 us typ
Fall Time (tf) — 5 us typ
Tape and Reel Packaging — TPL (L direction, 3000 pcs/reel)
Packing Option Code — E (RoHS)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação