TLP183GB(GB-TPL.E vs TLP183(GB-TPL Сравнение

Подробное сравнение бок о бок TLP183GB(GB-TPL.E от Toshiba и TLP183(GB-TPL от Toshiba. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Toshiba
TLP183GB(GB-TPL.E TLP183(GB-TPL,E - 3750Vrms Phototransistor Optocoupler SO6

TLP183(GB-TPL,E - 3750Vrms Phototransistor Optocoupler SO6

TLP183GB(GB-TPL.E ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр TLP183GB(GB-TPL.E TLP183(GB-TPL
Бренд Toshiba Toshiba
Категория Surge Protectors Optocouplers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,13 $0,12
Product Type Phototransistor Optocoupler (Optoisolator) Phototransistor Output Optocoupler
Тип выхода DC, Phototransistor (single channel) Phototransistor (BJT)
Number of Channels 1 1
Input Type DC DC (InGaAs Infrared LED)
Maximum Forward Current (IF) 50 mA —
Maximum Forward Voltage (VF) 1.4 V —
Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo) 80 V 80 V max
Maximum Collector Current 50 mA —
Isolation Voltage 3750 Vrms 3750 Vrms
CTR Rank GB (100% to 300% at IF=5 mA, VCE=5 V) GB (50-600% range)
Диапазон рабочих температур -55C to +110C —
Корпус 4-pin SO6 (6-SOP surface mount) 6-SO (SO6, 4-pin functional)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Safety Standards UL, cUL, VDE, CQC certified (per Toshiba datasheet) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Toshiba Semiconductor and Storage
Forward Current (IF) — 50 mA max
Reverse Voltage (VR) — 6 V max
Forward Voltage (VF) — 1.25 V typ at IF=10 mA
Emitter-Collector Voltage (VECO) — 7 V max
Ток коллектора (Ic) — 50 mA max
CTR (Current Transfer Ratio) — 50% min (IF=5 mA, VCE=5 V) - GB rank
Рабочая температура — -55 C to +125 C
Storage Temperature — -55 C to +150 C
Rise Time (tr) — 5 us typ
Fall Time (tf) — 5 us typ
Tape and Reel Packaging — TPL (L direction, 3000 pcs/reel)
Packing Option Code — E (RoHS)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену