1ED3142MC12HXUMA1 vs 2EP101RXTMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 1ED3142MC12HXUMA1 제조: Infineon 및 2EP101RXTMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 1ED3142MC12HXUMA1 2EP101RXTMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.32 $0.88
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number 1ED3142MC12HXUMA1 —
Product Family EiceDRIVER X3 Compact —
Driver Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Coreless transformer (galvanic) —
Isolation Voltage 3000 Vrms —
Number of Channels 1 —
출력 수 2 (separate source/sink) 1 (full-bridge differential primary)
Configuration Inverting, Non-Inverting —
Source Drive Current 6 A —
Sink Drive Current 6.5 A —
Maximum Rise Time 20 ns —
Maximum Fall Time 20 ns —
Propagation Delay (typ.) 40 ns —
Supported Switches IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
패키지 PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1) PG-TSSOP-8
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
EU RoHS Compliant —
Part Status Active —
ECCN EAR99 —
Product Type — Full-Bridge Transformer Driver PMIC
토폴로지 — Full-bridge (H-bridge) with external transformer
Supply Voltage Range — 5 V to 20 V
Maximum Output Power — 5 W
Switching Frequency Option 1 — 50 kHz
Switching Frequency Option 2 — 65 kHz
Duty Cycle Option 1 — 12%
Duty Cycle Option 2 — 17%
동작 온도 범위 — -40 °C to +125 °C
Primary Application — Isolated IGBT and SiC MOSFET gate driver supply
RoHS Compliance — Compliant
Delivery Form — Tape and Reel (XT suffix)

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