2N7002L vs BSS138LT1G 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2N7002L 제조: onsemi 및 BSS138LT1G 제조: onsemi. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 2N7002L BSS138LT1G
브랜드 onsemi onsemi
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.03 $0.08
트랜지스터 유형 N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 50 V
Continuous Drain Current (ID) 115 mA (Ta) 200 mA (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 7.5 ohm max at VGS = 5V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.5 V [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (PD) 200 mW (Ta), 225 mW max 225 mW (Ta)
Technology High cell density trench MOSFET —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
패키지 SOT-23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (TO-236)
Configuration Single FET Single FET
Switching Performance Fast switching, rugged and reliable —
Gate Drive 5V logic-level enhancement mode —
Typical Applications Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters
Manufacturer onsemi —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom)
On-Resistance Max (RDS(on)) — 3.5 ohm
Gate-Source Voltage Max (VGS) — [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage]
Channel Mode — Enhancement Mode
동작 온도 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Product Family — BSS138LT Series Small Signal MOSFET

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