2N7002L vs BSS138LT1G Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2N7002L por onsemi e BSS138LT1G por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2N7002L BSS138LT1G
Marca onsemi onsemi
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,03 $0,08
Tipo de transistor N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 50 V
Continuous Drain Current (ID) 115 mA (Ta) 200 mA (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 7.5 ohm max at VGS = 5V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.5 V [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (PD) 200 mW (Ta), 225 mW max 225 mW (Ta)
Technology High cell density trench MOSFET —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Encapsulamento SOT-23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (TO-236)
Configuration Single FET Single FET
Switching Performance Fast switching, rugged and reliable —
Gate Drive 5V logic-level enhancement mode —
Typical Applications Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters
Manufacturer onsemi —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom)
On-Resistance Max (RDS(on)) — 3.5 ohm
Gate-Source Voltage Max (VGS) — [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage]
Channel Mode — Enhancement Mode
Temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Product Family — BSS138LT Series Small Signal MOSFET

Fichas técnicas e recursos

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