AS4C512M16D4A-62BCN vs K4A8G165WB-BCTD 비교

다음의 상세 나란히 비교: AS4C512M16D4A-62BCN 제조: Alliance Memory 및 K4A8G165WB-BCTD 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ 활성
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCTD ✓ 활성

사양 비교

파라미터 AS4C512M16D4A-62BCN K4A8G165WB-BCTD
브랜드 Alliance Memory Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $7.20 $37.00
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
메모리 크기 8 Gbit —
메모리 구성 512M x 16 512M x 16
공급 전압 1.2 V 1.2 V
데이터 속도 1600 MHz (3200 Mbps) 2666 Mbps/pin (PC4-2666)
CAS 레이턴시 18 ns [DATA_NEEDED: CL value]
패키지 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-ball FBGA
동작 온도 0°C to 95°C 0°C to +95°C (TC)
실장 유형 Surface Mount —
JEDEC Standard Compliant —
인터페이스 POD (Pseudo Open Drain) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh Auto-refresh, self-refresh
On-Die Termination Yes Yes (ODT)
RoHS 상태 Compliant —
Packaging Tray —
Total Density — 8 Gb
tRCD — [DATA_NEEDED: tRCD value]
tRP — [DATA_NEEDED: tRP value]
ZQ Calibration — Yes
Data Mask — Yes
RoHS — Compliant

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청