AS4C512M16D4A-62BCN vs K4A8G165WB-BCTD 对比

详细并排对比 AS4C512M16D4A-62BCN 出自 Alliance Memory 和 K4A8G165WB-BCTD 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ 量产中
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCTD ✓ 量产中

规格对比

参数 AS4C512M16D4A-62BCN K4A8G165WB-BCTD
品牌 Alliance Memory Samsung Electronics
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $7.20 $37.00
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
存储容量 8 Gbit —
存储组织 512M x 16 512M x 16
电源电压 1.2 V 1.2 V
数据速率 1600 MHz (3200 Mbps) 2666 Mbps/pin (PC4-2666)
CAS 延迟 18 ns [DATA_NEEDED: CL value]
封装 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-ball FBGA
工作温度 0°C to 95°C 0°C to +95°C (TC)
安装类型 Surface Mount —
JEDEC Standard Compliant —
接口 POD (Pseudo Open Drain) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh Auto-refresh, self-refresh
On-Die Termination Yes Yes (ODT)
RoHS 状态 Compliant —
Packaging Tray —
Total Density — 8 Gb
tRCD — [DATA_NEEDED: tRCD value]
tRP — [DATA_NEEDED: tRP value]
ZQ Calibration — Yes
Data Mask — Yes
RoHS — Compliant

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