AS4C512M16D4A-62BIN vs AS4C512M16D4-75BCNTR 비교
다음의 상세 나란히 비교: AS4C512M16D4A-62BIN 제조: Alliance Memory 및 AS4C512M16D4-75BCNTR 제조: Alliance Memory. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN ✓ 활성Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | AS4C512M16D4A-62BIN | AS4C512M16D4-75BCNTR |
|---|---|---|
| 브랜드 | Alliance Memory | Alliance Memory |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.10 | $7.90 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Rate | 1600 MHz | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps per pin | 2666 Mbps per pin |
| 공급 전압 | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) | — |
| 동작 온도 | -40°C to +95°C | — |
| 패키지 | 96-FBGA (7.5x13mm) | 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) |
| 인터페이스 | POD (Pseudo Open Drain) | Parallel |
| CAS 레이턴시 | Programmable (e.g., 22 cycles) | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| RoHS | Compliant | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Free | Yes | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V) |
| Prefetch Architecture | — | 8n |
| Internal Bank Count | — | 16 banks |
| 동작 온도 범위 | — | 0C to +95C (case, commercial) |
| Process Technology | — | 20nm-class DRAM |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| Refresh Modes | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Packaging Option | — | Tape & Reel (TR suffix) |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |