BSC011N03LSIATMA1 vs BSC032N04LSATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSC011N03LSIATMA1 제조: Infineon 및 BSC032N04LSATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSC011N03LSIATMA1 | BSC032N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.32 | $0.32 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 30 V | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] | — |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | 1.1 mΩ (typical) | — |
| Power Dissipation at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 96 W | — |
| 동작 접합 온도 | -55 °C to +150 °C | -55°C to +175°C |
| 패키지 | PG-TDSON-8-7 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Part Series | — | OptiMOS 5 40V |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 21 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 98 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.2 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 52 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Technology | — | OptiMOS 5 trench |
| Lead-Free | — | Yes |