BSC0504NSIATMA1 vs BSZ060NE2LSATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC0504NSIATMA1 제조: Infineon 및 BSZ060NE2LSATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSC0504NSIATMA1 BSZ060NE2LSATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $0.27
트랜지스터 유형 N-channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage 30 V —
Continuous Drain Current at Ta 21 A —
Continuous Drain Current at Tc 72 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Technology Family OptiMOS 5 —
패키지 PG-TDSON-8-6 PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 8 pins —
Exposed Pad Yes, according to distributor package description —
On-State Resistance [DATA_NEEDED: on-state resistance] —
Gate Charge [DATA_NEEDED: gate charge] —
게이트 임계 전압 [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
열 저항 [DATA_NEEDED: thermal resistance] —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C
AEC-Q100 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] —
RoHS 상태 unknown Compliant
Lead-Free Status unknown —
Halogen-Free Status unknown —
REACH Status unknown —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ060NE2LSATMA1
Technology — OptiMOS™ (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C — 12 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 44 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 44 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 26 W
MSL 레벨 — 1
Shipping Packaging — Tape & Reel

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