BSC097N06NSATMA1 vs BSC360N15NS3GATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSC097N06NSATMA1 제조: Infineon 및 BSC360N15NS3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Infineon
BSC360N15NS3GATMA1 - 150V 36mOhm N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
BSC360N15NS3GATMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | BSC097N06NSATMA1 | BSC360N15NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.38 | $0.82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 46 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM peak value] | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 9.7 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg typ) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 36 W | — |
| 동작 접합 온도 | -55C to +150C | — |
| 패키지 / 케이스 | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | 1 (Unlimited) | 1 |
| Avalanche Rated | Yes (EAS per datasheet) | — |
| Part Number | — | BSC360N15NS3GATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 33 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 36 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 74 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) typ | — | 3.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| 패키지 | — | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| 동작 온도 범위 | — | -55°C to +150°C (junction) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |