BSC097N06NSATMA1 vs IAUZ30N10S5L240ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC097N06NSATMA1 제조: Infineon 및 IAUZ30N10S5L240ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSC097N06NSATMA1 IAUZ30N10S5L240ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.38 $0.86
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 46 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM peak value] —
RDS(on) max at VGS=10 V 9.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 36 W —
동작 접합 온도 -55C to +150C —
패키지 / 케이스 PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 5 (trench)
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 1 (Unlimited) —
Avalanche Rated Yes (EAS per datasheet) —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 30 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 24 mΩ
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Charge (Q_g) typ — 14 nC at V_GS=10V
Input Capacitance (C_iss) typ — 832 pF at V_DS=50V
Power Dissipation (P_D, Tc) — 45.5 W
패키지 — PG-TSDSON-8-32 (8-PowerTDFN, exposed drain pad)
동작 온도 범위 — -55°C to +175°C (junction, automotive grade)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) value]
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status]

데이터시트 & 자료

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