BSC360N15NS3GATMA1 vs BSC520N15NS3G 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC360N15NS3GATMA1 제조: Infineon 및 BSC520N15NS3G 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSC360N15NS3GATMA1 BSC520N15NS3G
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.82 $0.62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC360N15NS3GATMA1 BSC520N15NS3 G
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 3 (trench-gate N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 74 W —
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ 3.0 V —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
패키지 PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55°C to +150°C (junction) —
Avalanche Energy Rated Yes —
RoHS 상태 Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL 레벨 1 —
Drain-Source Voltage (VDS) max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) max at TC=25C — 21 A
On-Resistance RDS(on) max — 52 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (Ptot) at TC=25C — 57 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
동작 접합 온도 — -55C to +150C
핀 수 — 8
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
JEDEC Qualification — Qualified per JEDEC
Channel Type — N-Channel (normal level)
Typical Application — DC-DC conversion, synchronous rectification

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청