BSC360N15NS3GATMA1 vs BSC520N15NS3G Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC360N15NS3GATMA1 par Infineon et BSC520N15NS3G par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC360N15NS3GATMA1 BSC520N15NS3G
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC360N15NS3GATMA1 BSC520N15NS3 G
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 3 (trench-gate N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 74 W —
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ 3.0 V —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
Boîtier PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C (junction) —
Avalanche Energy Rated Yes —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Niveau MSL 1 —
Drain-Source Voltage (VDS) max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) max at TC=25C — 21 A
On-Resistance RDS(on) max — 52 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (Ptot) at TC=25C — 57 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C
Nombre de broches — 8
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
JEDEC Qualification — Qualified per JEDEC
Channel Type — N-Channel (normal level)
Typical Application — DC-DC conversion, synchronous rectification

Fiches techniques et ressources

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