BSO150N03MDGXUMA1 vs BSO613SPVGXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSO150N03MDGXUMA1 제조: Infineon 및 BSO613SPVGXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSO150N03MDGXUMA1 BSO613SPVGXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.37 $0.98
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSO150N03MDGXUMA1 —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS 3M (30V trench MOSFET) OptiMOS (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) max per channel 9.3 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 15 mOhm at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V [DATA_NEEDED: VGS max +/-V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 1.0 V —
Power Dissipation (PD) max 1.4 W —
동작 온도 범위 -55C to +150C -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs)
패키지 PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad) PG-DSO-8-6 (Power-SO-8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 1 (unlimited) MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8)
RoHS 상태 Compliant Compliant
Channel Configuration Dual N-Channel (independent) —
FET Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -3.44 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes (per Infineon OptiMOS family)
핀 수 — 8 (6 active, 2 thermal/NC)

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청