BSO613SPVGXUMA1 vs BSO150N03MDGXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSO613SPVGXUMA1 제조: Infineon 및 BSO150N03MDGXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSO613SPVGXUMA1 BSO150N03MDGXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.98 $0.37
FET Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -3.44 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
패키지 PG-DSO-8-6 (Power-SO-8) PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS (Trench) OptiMOS 3M (30V trench MOSFET)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V] —
동작 온도 범위 -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs) -55C to +150C
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max +/-V] 20 V
MSL 레벨 MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8) 1 (unlimited)
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes (per Infineon OptiMOS family) —
핀 수 8 (6 active, 2 thermal/NC) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSO150N03MDGXUMA1
Product Type — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) max per channel — 9.3 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 15 mOhm at VGS=10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 1.0 V
Power Dissipation (PD) max — 1.4 W
Channel Configuration — Dual N-Channel (independent)

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