BSP88H6327XTSA1 vs BSC0902NSIATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSP88H6327XTSA1 제조: Infineon 및 BSC0902NSIATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSP88H6327XTSA1 BSC0902NSIATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.21 $0.32
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C —
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C —
패키지 PG-SOT223-4 (SOT-223-3) PG-TDSON-8-6 (TDSON-8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V —
Configuration Single —
동작 온도 -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 30V
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Charge QG(0V..10V) — 24 nC
Output Charge QOSS — 17 nC
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
동작 온도 범위 — -55C to +150C (junction)
Built-in Diode — Yes (single with built-in diode)
RoHS 상태 — Compliant
Lead-Free — Yes
할로겐 프리 — Yes

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