BSS126H6327XTSA2 vs BSS806NEH6327XTSA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSS126H6327XTSA2 제조: Infineon 및 BSS806NEH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSS126H6327XTSA2 | BSS806NEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.32 | $0.14 |
| FET Type | N-Channel Depletion Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 21 mA | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 500 mW | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 500 ohm (typical for depletion-mode) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Range | [DATA_NEEDED: VGS max/min] | — |
| Technology | SIPMOS (DMOS) | — |
| 패키지 | SOT-23-3 (PG-SOT23) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C (junction, typical) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 핀 수 | 3 | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Configuration | Single | — |
| Channel Mode | Depletion (normally-on at VGS = 0) | — |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| 할로겐 프리 | Yes (Infineon 'green' package) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSS806NEH6327XTSA1 |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Mode of Operation | — | Enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 20 V (maximum) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 2.3 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| On-Resistance RDS(on) | — | 57 mOhm (maximum) |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Yes (compliant) |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified (automotive grade) |