DMT10H015LCG-7 vs BSZ0901NSIATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: DMT10H015LCG-7 제조: Diodes Incorporated 및 BSZ0901NSIATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Diodes Incorporated
DMT10H015LCG-7 DMT10H015LCG-7 - 100V N-Channel MOSFET, 34A, V-DFN3333-8 | Diodes Inc

DMT10H015LCG-7 - 100V N-Channel MOSFET, 34A, V-DFN3333-8 | Diodes Inc

DMT10H015LCG-7 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 DMT10H015LCG-7 BSZ0901NSIATMA1
브랜드 Diodes Incorporated Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.82 $0.34
FET Type N-Channel Enhancement Mode N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (Ta) 9.4 A —
Continuous Drain Current (Tc) 34 A —
Power Dissipation (Ta) 1 W —
패키지 V-DFN3333-8 (3.3 mm x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 -55C to +150C (junction, typical) —
Technology Trench MOSFET OptiMOS trench N-channel MOSFET
Channel Polarity N-Channel —
핀 수 8 8
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RDS(ON) at 10V VGS [DATA_NEEDED: typical on-resistance value] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Manufacturer Part Family DMT10H015LCG —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ0901NSIATMA1
Series — OptiMOS 25V
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
동작 온도 범위 — -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

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