EP1C12F256C8 vs EP1C12F256C6N 비교
다음의 상세 나란히 비교: EP1C12F256C8 제조: Intel 및 EP1C12F256C6N 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | EP1C12F256C8 | EP1C12F256C6N |
|---|---|---|
| 브랜드 | Intel | Intel |
| 카테고리 | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 최종 구매 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $35.20 | $51.90 |
| Series | Cyclone | — |
| Family | Cyclone I | Cyclone® |
| Logic Elements (LE) | 12,060 | — |
| Total RAM Bits | 239,616 | — |
| Number of LABs/CLBs | 1,206 | — |
| Number of Logic Elements/Cells | 12,060 | — |
| Number of I/O | 185 | — |
| Number of PLLs | 2 | — |
| Total Memory Bits | 239,616 | — |
| 패키지 / 케이스 | 256-BGA (FBGA) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| 동작 온도 | 0°C to +85°C (commercial grade) | 0 °C to +85 °C (commercial) |
| Core Voltage | 1.5 V | — |
| I/O Voltage Range | 1.5 V to 3.3 V | — |
| Supplier Device Package | 256-FBGA (17x17 mm) | — |
| Process Technology | 130 nm SRAM | 0.13 µm SRAM |
| Configuration Method | Passive Serial / Active Serial / JTAG | Serial (EPCS) / JTAG |
| Logic Elements (LEs) | — | 12,060 |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 1,206 |
| Embedded Memory Bits | — | 239,616 bits |
| M4K RAM Blocks | — | 52 |
| Embedded 18x18 Multipliers | — | Yes |
| PLLs | — | 2 |
| Maximum User I/O | — | 185 |
| User I/O Banks | — | [DATA_NEEDED: number of user I/O banks] |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.5 V |
| I/O Voltage (VCCIO) | — | 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (bank-dependent) |
| 패키지 | — | 256-ball FBGA (F256) |
| Speed Grade | — | 6 |
| RoHS 상태 | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |