EP20K200CB356C8ES vs EP20K100CB356C8ES 비교
다음의 상세 나란히 비교: EP20K200CB356C8ES 제조: Intel 및 EP20K100CB356C8ES 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | EP20K200CB356C8ES | EP20K100CB356C8ES |
|---|---|---|
| 브랜드 | Intel | Intel |
| 카테고리 | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| 수명 주기 상태 | NRND | NRND |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $178.00 | $199.50 |
| Series | APEX 20KC | — |
| Family | APEX 20KC MultiCore Interconnect FPGA | APEX 20K |
| System Gates | 200,000 | — |
| Logic Elements / Cells | 8,320 | — |
| User I/O Count | 271 | — |
| Core Voltage | 1.8 V | — |
| Process Technology | 0.15 µm | — |
| Operating Frequency (max) | 301.21 MHz | — |
| Package Type | 356-LBGA (Ball Grid Array) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | 0°C to +85°C (Commercial) | 0C to +85C (Commercial) |
| Speed Grade | C8 (8 ns) | 8 |
| 메모리 유형 | SRAM-based, Embedded System Blocks (ESBs) | — |
| Programming Interface | JTAG / ByteBlaster / USB-Blaster | — |
| Design Software | Quartus II / MAX+PLUS II | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: rohs status] | [DATA_NEEDED: rohs status] |
| Embedded Memory | Yes (ESBs) | — |
| Logic Elements | — | 4160 |
| Typical Gates | — | 100000 |
| Maximum User I/O | — | 252 |
| Embedded Array Blocks (EABs) | — | 26 |
| Total RAM Bits | — | 53248 |
| 패키지 | — | 356-ball BGA |
| MSL 레벨 | — | 3 (168 Hours) |
| Part Status Note | — | Engineering Sample (ES) |
| Core Voltage (typical) | — | 2.5 V |
| I/O Voltage (typical) | — | 3.3 V |
| Configuration Interface | — | JTAG (IEEE 1149.1) |