EP3SE260F1517C3N vs EP3SE260F1517C4LN 비교
다음의 상세 나란히 비교: EP3SE260F1517C3N 제조: Intel 및 EP3SE260F1517C4LN 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | EP3SE260F1517C3N | EP3SE260F1517C4LN |
|---|---|---|
| 브랜드 | Intel | Intel |
| 카테고리 | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| 수명 주기 상태 | 최종 구매 | 최종 구매 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $9,850.00 | $1,450.00 |
| Family | Stratix III E | Stratix III E (Enhanced) |
| Logic Elements | 254,400 | 255,000 |
| Embedded Memory | 16,672,768 bits (16.7 Mbits) | — |
| User I/Os | 976 | — |
| DSP Blocks (18x18 Multipliers) | 816 | — |
| M9K Memory Blocks | 1,040 | — |
| Maximum Transceiver Data Rate | 600 Mbps | — |
| PLLs | 4 | — |
| Global Clock Networks | 16 | — |
| 패키지 | 1517-BBGA (FCBGA) | — |
| Process Technology | 65 nm TSMC low-power CMOS | 65 nm |
| Speed Grade | C3 (commercial) | C4 |
| 동작 접합 온도 | 0 C to +85 C (commercial) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (flip-chip) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| External Memory Interfaces | DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM2 | — |
| Series | — | Stratix III E |
| Number of LABs/CLBs | — | 10,200 |
| Total Memory Bits | — | 16,672,768 (16.67 Mbit) |
| Number of I/O | — | 976 |
| Number of Gates | — | [DATA_NEEDED: gate count not published in web data] |
| Voltage - Supply | — | 0.9 V to 1.1 V core |
| Operating Frequency | — | 375 MHz to 450 MHz (per family) |
| 패키지 / 케이스 | — | 1517-BBGA, FCBGA (FC-FBGA) |
| 동작 온도 | — | 0C to +85C (commercial grade per 'C' suffix) |
| 습도 민감도 레벨 (MSL) | — | 3 (168 Hours) |
| Packaging | — | Tray |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (LN suffix) |