EP3SE260F1517C3N vs EP3SE260F1517C4N 비교
다음의 상세 나란히 비교: EP3SE260F1517C3N 제조: Intel 및 EP3SE260F1517C4N 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | EP3SE260F1517C3N | EP3SE260F1517C4N |
|---|---|---|
| 브랜드 | Intel | Intel |
| 카테고리 | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| 수명 주기 상태 | 최종 구매 | NRND |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $9,850.00 | $7,800.00 |
| Family | Stratix III E | Field-Programmable Gate Array (FPGA) |
| Logic Elements | 254,400 | 255,000 |
| Embedded Memory | 16,672,768 bits (16.7 Mbits) | 16,672,768 bits |
| User I/Os | 976 | — |
| DSP Blocks (18x18 Multipliers) | 816 | — |
| M9K Memory Blocks | 1,040 | — |
| Maximum Transceiver Data Rate | 600 Mbps | 12.5 Gbps |
| PLLs | 4 | — |
| Global Clock Networks | 16 | — |
| 패키지 | 1517-BBGA (FCBGA) | 1517-BBGA, FCBGA |
| Process Technology | 65 nm TSMC low-power CMOS | — |
| Speed Grade | C3 (commercial) | — |
| 동작 접합 온도 | 0 C to +85 C (commercial) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| External Memory Interfaces | DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM2 | — |
| Series | — | Stratix® III E |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 10,200 |
| Maximum User I/Os | — | 976 |
| 동작 온도 | — | 0°C to 85°C |
| Core Voltage | — | 0.9 V |
| Process Node | — | 65 nm |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Lead Free | — | [DATA_NEEDED: lead-free status] |