H5AN8G4NAFR-UHC vs H5AN8G4NAFR-PBC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G4NAFR-UHC 제조: SK hynix 및 H5AN8G4NAFR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5AN8G4NAFR-UHC H5AN8G4NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK Hynix

H5AN8G4NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK Hynix

H5AN8G4NAFR-UHC ✓ 활성
SK hynix
H5AN8G4NAFR-PBC H5AN8G4NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-PBC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5AN8G4NAFR-UHC H5AN8G4NAFR-PBC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs DRAM
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $3.05 $3.55
Manufacturer SK hynix (Hynix Semiconductor) —
메모리 유형 DDR4 SDRAM (CMOS) DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
메모리 구성 2G x4 2Gb x 4
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Speed Grade UHC —
인터페이스 Synchronous, dual rising/falling clock edges —
Clock Input Differential CK_t / CK_c —
패키지 78-ball FBGA 78-ball FBGA
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS 상태 Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Family Variants H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC —
Datasheet Revision Rev. 1.2 (Jul. 2017), 45 pages —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Packaging [DATA_NEEDED: reel / tray quantity] —
Interface Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V +/- 0.06 V
Wordline Pump Voltage (VPP) — 2.5 V (+0.25/-0.125 V)
Speed Bins (per datasheet) — DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (DLL ON)
Bank Groups — 4 (BG0-BG1)
Banks — 16 (4 bank groups x 4 banks)
Row Address — A0-A16 (17 bits)
Technology — CMOS
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (RoHS Compliant per datasheet)
동작 온도 범위 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS 레이턴시 — [DATA_NEEDED: CL for PBC speed bin]
Geardown Mode Note — DDR4-1600/1866/2133/2400 bins valid only when Geardown Mode is disabled

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