H5AN8G4NAFR-VKC vs H5AN8G8NAFR-VKC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G4NAFR-VKC 제조: SK hynix 및 H5AN8G8NAFR-VKC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G4NAFR-VKC | H5AN8G8NAFR-VKC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.98 | $4.15 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| 메모리 구성 | 2G x 4 | 1G x 8 |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps per pin (DDR4-2666) | — |
| CAS Latency (CL) | 19 (CL19, speed bin VK) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA (PBGA78) | 78-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| RoHS 상태 | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Family | H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC | — |
| Application | Main memory requiring large density and high bandwidth | — |
| Datasheet Revision | Rev. 1.2 (Jul. 2017) | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2666 (VKC bin) |
| 인터페이스 | — | SSTL12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Bank Group Architecture | — | Supported (per DDR4 JEDEC architecture) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes (DLL for output skew control) |
| Process Technology | — | CMOS |
| Recommended Application | — | Main memory requiring large density and high bandwidth |