H5AN8G6NDJR vs MT40A512M16TB-062E:R 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NDJR 제조: SK hynix 및 MT40A512M16TB-062E:R 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G6NDJR | MT40A512M16TB-062E:R |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $35.00 | $60.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 MT/s |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 패키지 | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CAS 레이턴시 | 22 cycles (at 3200 Mbps) | 22 |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| 특징 | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |
| 메모리 크기 | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1600 MHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| 동작 온도 | — | 0°C to +95°C |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| 데이터 버스 폭 | — | 16 bits |
| Refresh Time | — | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| RoHS 상태 | — | Compliant |