H5AN8G8NAFR-UHI vs H5AN8G8NAFR-PBC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G8NAFR-UHI 제조: SK hynix 및 H5AN8G8NAFR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5AN8G8NAFR-UHI H5AN8G8NAFR-UHI - 8Gb DDR4-2400 x8 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHI - 8Gb DDR4-2400 x8 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHI ✓ 활성
SK hynix
H5AN8G8NAFR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5AN8G8NAFR-UHI H5AN8G8NAFR-PBC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs DRAM
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $4.10 $2.20
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gb —
메모리 구성 1G x 8 1G x 8
데이터 속도 DDR4-2400 (PC2400), 1200 MHz clock —
공급 전압 1.2 V 1.2 V
인터페이스 DDR4 (JEDEC-class) DDR4 (double data rate, synchronized to clock)
패키지 78-ball FBGA FBGA-78
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Lead Free Yes —
할로겐 프리 Yes —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Technology CMOS —
Application Main memory (high density, high bandwidth) —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS 레이턴시 [DATA_NEEDED: CAS latency for UHI speed grade] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 8 Gb
Speed Grade / Data Rate — [DATA_NEEDED: speed grade / data rate]
Address Inputs — A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed)
Connectivity Test Mode — TEN (optional input on x4/x8, required on x16)
Process Technology — CMOS
Lead-Free — Yes
할로겐 프리 — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / July 2017

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