H5ANAG6NBJR-UHC vs H5ANAG6NBJR-RDC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG6NBJR-UHC 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NBJR-RDC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5ANAG6NBJR-UHC | H5ANAG6NBJR-RDC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | DRAM | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.09 | $9.60 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 16 Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | — |
| 인터페이스 | DDR4 (CMOS) | Synchronous, double data rate |
| 패키지 | PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA) | FBGA (Ball Grid Array), surface mount |
| Package Dimensions | 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96) | — |
| Access Mode | Multi Bank, Page Burst | — |
| 동작 온도 | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh | Auto / Self Refresh | — |
| Data Mask | Supported (DM function) | — |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Write Leveling | Supported | — |
| CRC | Supported | — |
| Supply Voltage Class | DDR4 (1.2 V class) | — |
| RoHS 상태 | RoHS Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| ECCN | EAR99 | — |
| HTS Code | 8542.32.00.36 | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Max Data Rate | [DATA_NEEDED: Max Data Rate] | — |
| Memory Organization | — | 16Gb x16 |
| 데이터 속도 | — | 2666 Mbps (speed grade -RDC) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Clocking | — | Fully synchronous to both clock edges |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| Technology | — | CMOS |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Application | — | Main memory |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported (DDR4 feature) |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4) |