H5ANAG8NBJR-RDC vs H5ANAG6NBJR-RDC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG8NBJR-RDC 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NBJR-RDC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5ANAG8NBJR-RDC | H5ANAG6NBJR-RDC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | DRAM | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.55 | $9.60 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| 메모리 구성 | 2G x 8 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| 인터페이스 | SSTL12 | Synchronous, double data rate |
| Speed Grade (suffix R) | DDR4-2666 class | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA | FBGA (Ball Grid Array), surface mount |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) | — |
| Bank Groups | 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) | — |
| Data Strobe | DQS with read/write training | — |
| Data Bus Inversion | Supported (DBI) | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| RoHS 상태 | Compliant (lead-free PBGA per family product data) | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| 수명 주기 상태 | Active | — |
| Memory Organization | — | 16Gb x16 |
| 데이터 속도 | — | 2666 Mbps (speed grade -RDC) |
| Clocking | — | Fully synchronous to both clock edges |
| Technology | — | CMOS |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Application | — | Main memory |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported (DDR4 feature) |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4) |