H5ANAG8NBJR-VKC vs H5ANAG4NBJR-VKC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG8NBJR-VKC 제조: SK hynix 및 H5ANAG4NBJR-VKC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5ANAG8NBJR-VKC | H5ANAG4NBJR-VKC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.60 | $14.40 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | — |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| 메모리 구성 | 2G x 8 | — |
| Speed Grade | DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) | VKC (commercial speed bin - see SK hynix part number decoder) |
| 공급 전압 | 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (internal interface per distributor data) | — |
| 동작 온도 | 0C to +85C | — |
| 패키지 | FBGA-78 | FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Standby Current | 30 mA (operating, per distributor listing) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Data Mask Function | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| RoHS 상태 | Compliant, Lead-Free and Halogen-Free | Compliant (per distributor listing) |
| Refresh Interval | [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] | — |
| Product Type | — | DDR4 SDRAM |
| 동작 온도 범위 | — | -40 C to +95 C (case, industrial with auto self-refresh) |
| 데이터 속도 | — | [DATA_NEEDED: data rate (MT/s) for -VKC bin] |
| VDD Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] |
| VDDQ Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDDQ supply voltage] |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes |
| Lead-Free | — | [DATA_NEEDED: lead-free status] |
| 할로겐 프리 | — | [DATA_NEEDED: halogen-free status] |