H5CG48AGBDX014N vs H5CG48MEBDX018N 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5CG48AGBDX014N 제조: SK hynix 및 H5CG48MEBDX018N 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5CG48AGBDX014N H5CG48AGBDX014N - SK Hynix DDR5 16Gb DRAM Chip

H5CG48AGBDX014N - SK Hynix DDR5 16Gb DRAM Chip

H5CG48AGBDX014N ✓ 활성
SK hynix
H5CG48MEBDX018N H5CG48MEBDX018N - DDR5 16Gb SDRAM FCBGA | SK Hynix

H5CG48MEBDX018N - DDR5 16Gb SDRAM FCBGA | SK Hynix

H5CG48MEBDX018N ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5CG48AGBDX014N H5CG48MEBDX018N
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $70.00 $1.00
Manufacturer SK Hynix —
Product Type DDR5 SDRAM —
Density 16 Gb (2G x 8) 16Gb (2G x 8)
메모리 구성 x8 (2G x 8) 2G x 8
Memory Family DDR5 (H5CG A-die generation) —
데이터 속도 [DATA_NEEDED: data rate in Mbps for 014 speed grade (018N sibling: 5600 Mbps)] [DATA_NEEDED: Data Rate (Mbps)]
Supply Voltage Class [DATA_NEEDED: VDD per datasheet (DDR5 class 1.1 V)] —
패키지 78-ball FBGA 78-ball FCBGA
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
인터페이스 DDR5, 2 independent 8-bit sub-channels —
ECC On-die ECC (ODE) —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C (LCSC listing for M-die family part)
On-Die Termination Yes (ODT) —
Bank Groups 8 (DDR5 architecture) —
RoHS 상태 unknown [DATA_NEEDED: RoHS Status]
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: MSL Level]
수명 주기 상태 Active —
메모리 유형 — DDR5 SDRAM
Bus Width — 8 bit
공급 전압 — 1.1 V
Die Generation — M-die (family: A-die and M-die variants exist)
인터페이스 유형 — DDR5 parallel
On-Die ECC — Yes (DDR5 standard feature)
Packaging — [DATA_NEEDED: Packing Type]

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