IAUC100N10S5L040ATMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC100N10S5L040ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC120N04S6N009ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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IAUC100N10S5L040ATMA1 IAUC100N10S5L040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A N-Channel MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A N-Channel MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L040ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC100N10S5L040ATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.94 $1.60
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOST 5 Power-Transistor (IAUC) OptiMOS 6 40V
트랜지스터 유형 N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
On-State Resistance RDS(on) max 4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic Level —
Continuous Power Dissipation (Tc) 167 W —
패키지 PG-TDSON-8-34 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55 C to +175 C (junction) —
MSL Moisture Sensitivity MSL1 (up to 260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Avalanche Tested 100% production avalanche tested —
AOI Compatibility Feasible for automatic optical inspection —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 120 A
펄스 드레인 전류 — [DATA_NEEDED: pulsed I_D value]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 0.9 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Total Gate Charge Q_g typ — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Thermal Resistance R_thJC max — 1.0 K/W
동작 접합 온도 — -55 °C to +175 °C
MSL 레벨 — 1
RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per Infineon product page)

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