IAUC120N04S6N010ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC120N04S6N010ATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN04S7N019GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.68 $0.82
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (Id, Tc) 150 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 150 W —
RDS(on) at VGS=10V (typ) 1.0 mΩ —
RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) 1.03 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) 3 V (at 90 µA) —
Technology OptiMOS 6 —
패키지 PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per family datasheet)
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Gate Drive Recommendation 10 V VGS for full RDS(on) spec —
Polarity Single N-channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

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