IAUC60N04S6N031HATMA1 vs IAUZN04S7L030ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC60N04S6N031HATMA1 제조: Infineon 및 IAUZN04S7L030ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUZN04S7L030ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.95 $0.36
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) —
Process Technology OptiMOS 6 40V —
Configuration Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 60 A —
Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 75 W —
R_DS(on) at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C (Tj) —
패키지 PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm²
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 8 —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (Automotive OptiMOS)
RoHS 상태 Compliant —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 60 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) — 100 A
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 3.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 58 W
Operating Junction Temperature (Tj) — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-7
Channel Type — N-Channel
RoHS Compliance — Compliant

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