IAUT165N08S5N029ATMA2 vs IPB100N04S4H2ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUT165N08S5N029ATMA2 제조: Infineon 및 IPB100N04S4H2ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029ATMA2 - 80V 165A 2.9mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUT165N08S5N029ATMA2 - 80V 165A 2.9mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUT165N08S5N029ATMA2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUT165N08S5N029ATMA2 IPB100N04S4H2ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.30 $1.42
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IAUT165N08S5N029ATMA2 —
Product Family OptiMOS™ 5 —
트랜지스터 유형 N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) 165 A —
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) 660 A —
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>) 2.9 mΩ (typical) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) 167 W —
Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) 225 mJ —
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C (T<sub>j</sub>) —
패키지 / 케이스 PG-HSOF-8-1 (8+Tab, Surface Mount) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL Rating MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) Compliant (Green Product)
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Technology — OptiMOS-T2 (trench gate)
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) at VGS=10V — 2.4 mΩ typical
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C — 115 W
동작 접합 온도 — -55C to +175C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temp range]
패키지 — PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount
MSL 레벨 — MSL1 (up to 260C peak reflow)
Avalanche Energy (EAS) — 100% avalanche tested

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