IAUZ30N10S5L240ATMA1 vs BSC097N06NSATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUZ30N10S5L240ATMA1 제조: Infineon 및 BSC097N06NSATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IAUZ30N10S5L240ATMA1 BSC097N06NSATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.86 $0.38
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 5 (Trench)
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 30 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 24 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Gate Charge (Q_g) typ 14 nC at V_GS=10V —
Input Capacitance (C_iss) typ 832 pF at V_DS=50V —
Power Dissipation (P_D, Tc) 45.5 W —
패키지 PG-TSDSON-8-32 (8-PowerTDFN, exposed drain pad) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55°C to +175°C (junction, automotive grade) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) value] —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
Part Status — Active
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 46 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM peak value]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.7 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 36 W
동작 접합 온도 — -55C to +150C
패키지 / 케이스 — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
MSL 레벨 — 1 (Unlimited)
Avalanche Rated — Yes (EAS per datasheet)

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