IAUZ30N10S5L240ATMA1 vs IAUC100N08S5N043ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUZ30N10S5L240ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC100N08S5N043ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUZ30N10S5L240ATMA1 IAUC100N08S5N043ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.86 $1.72
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 5 (Trench)
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 30 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 24 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Gate Charge (Q_g) typ 14 nC at V_GS=10V —
Input Capacitance (C_iss) typ 832 pF at V_DS=50V —
Power Dissipation (P_D, Tc) 45.5 W —
패키지 PG-TSDSON-8-32 (8-PowerTDFN, exposed drain pad) PG-TDSON-8-34 (SuperSO8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55°C to +175°C (junction, automotive grade) -55°C to +175°C
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) value] —
RoHS 상태 Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Series — IAUC / OptiMOS 5
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 100 A (package limited)
Continuous Drain Current (chip-limited) — 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W
Maximum R<sub>DS(on)</sub> — 4.3 mΩ
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 125 W (T<sub>C</sub>)
핀 수 — 8
습도 민감도 레벨 (MSL) — MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)
Channel Mode — Enhancement

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청